本發明提供一種磊晶基板的分離方法，包含以下步驟：(a)於一磊晶基板上磊製一由氧化鈧所構成的緩衝層；(b)於該步驟(a)後，於該緩衝層上磊製一磊晶膜層結構，該磊晶膜層結構是由一以氮化鎵為主的材料所構成；(c)於該步驟(b)後，於該磊晶膜層結構上貼合一散熱基板；及(d) 於該步驟(c)後，以該緩衝層作為一犧牲層，利用一濕式蝕刻劑移除該犧牲層以使該磊晶膜層結構自該磊晶基板分離。該濕式蝕刻劑是一選自下列所構成之群組的酸劑：硝酸、鹽酸、氫氟酸，及前述酸劑的一混合物。