- 專利名稱(中文) / 製造高光電轉換率之光電極的方法以及使用該光電極的染料敏化太陽電池
- 專利名稱(英文) / A way of doping silicon carbide nanoparticle in photoelectrodes can enhance the photoelectric conversion efficiency significantly
- 所屬單位(一級單位) / 工學院
- 所屬單位(二級單位) / 化學工程學系
- 發明人(中文) / 蔡毓楨
- 發明人(英文) /
- 申請國家 / 中華民國
- 專利類型 / 發明
- 專利證書號 / I481041
- 技術成熟度 / 實驗室階段
一種製造高光電轉換率之光電極的方法，包括：步驟一，將碳化矽奈米粒子分散於液態媒體中；步驟二，將二氧化鈦奈米顆粒分散於步驟一所獲得的分散液；步驟三，將聚乙二醇混合於步驟二所得的分散液中，獲得碳化矽/二氧化鈦(SiC/TiO2)膠態溶液；步驟四，將該碳化矽/二氧化鈦(SiC/TiO2)膠態溶液塗佈於一導電基材的表面；步驟五，經由一燒結步驟和一冷卻步驟，使該碳化矽/二氧化鈦(SiC/TiO2)膠態溶液成為固著於該導電基材的碳化矽/二氧化鈦(SiC/TiO2)複合薄膜；步驟六，經由一浸泡或滴加光敏染料溶液的步驟，使步驟五所獲得之導電基材的碳化矽/二氧化鈦(SiC/TiO2)複合薄膜吸收光敏染料；步驟七，透過一清洗步驟，將未吸附上的染料從導電基材上清洗掉，從而獲得一可應用於染料敏化太陽能電池的光電極
