- 專利名稱(中文) / 具易移除犧牲層的磊晶結構及其製造方法
- 專利名稱(英文) /
- 所屬單位(一級單位) / 工學院
- 所屬單位(二級單位) / 材料科學與工程學系
- 發明人(中文) / 武東星
- 發明人(英文) /
- 申請國家 / 中華民國
- 專利類型 / 發明
- 專利證書號 / I408732
- 技術成熟度 / 實驗室階段
一種具易移除犧牲層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟:首先,製備一第一基板,接著,於該第一基板上形成一氧化鎵犧牲層,該氧化鎵犧牲層滿足GaOx,其中0.5≦x≦3.5,而後,於該氧化鎵犧牲層上磊晶成長一磊晶結構層,利用移除該氧化鎵犧牲層來保持該磊晶結構層的品質與性能,而由於該氧化鎵犧牲層結晶特性弱,因此該氧化鎵犧牲層容易被移除,提高整體製程效率。