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  • 專利名稱(中文) / 利用電漿電解氧化製備氧化物膜的方法
  • 專利名稱(英文) / METHOD FOR FORMING OXIDE FILM BY PLASMA ELECTROLYTIC OXIDATION
  • 所屬單位(一級單位) / 工學院
  • 所屬單位(二級單位) / 材料科學與工程學系
  • 發明人(中文) / 呂福興
  • 發明人(英文) /
  • 申請國家 / 中華民國
  • 專利類型 / 發明
  • 專利證書號 / I445084
  • 技術成熟度 / 實驗室階段

本發明有關於一種利用電漿電解氧化製備氧化物膜的方法,其係先將一陽極以及一陰極置入一電解質溶液中,其中該陽極為具有導電氮化物膜的基材,而該電解質溶液的溫度範圍大於20℃且小於100℃,接著再將50 V至1000 V的電壓施加於該陽極以及該陰極,最終在該陽極的導電氮化物膜的表面形成一氧化物膜。相較於習用製備氧化物膜的方法,本發明不僅能夠更快速地製得氧化物膜,且製得之氧化物膜的結晶性較佳。


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