本發明主要提供具有多元高熵合金氧化物的光電半導體及其相關的設計方法、與相關材料，選定鋅、錫、銅、鈦，與鈮構成多元高熵合金，氧佔陶瓷材料的原子百分比是51.00at﹪~57.00at﹪，其中，鋅、錫、銅、鈦，與鈮的原子百分比佔光電半導體的3.00at﹪~13.00at﹪，使多元高熵合金與氧結合成具有高熵合金氧化物的光電半導體，另外，氧的原子百分比在小於51.00at﹪時，所成的高熵合金氧化物呈現導体特性，大於59.00at﹪則呈現透明絕緣體的特性，而適用於光電技術領域，有效促進光電技術發展。