- 專利名稱(中文) / 耦合砷化銦鎵量子點綴於井之太陽能電池
- 專利名稱(英文) / Coupled InGaAs quantum dotsinawell solar cell
- 所屬單位(一級單位) / 工學院
- 所屬單位(二級單位) / 光電工程研究所
- 發明人(中文) / 賴聰賢
- 發明人(英文) /
- 申請國家 / 中華民國
- 專利類型 / 發明
- 專利證書號 / I502757
- 技術成熟度 / 實驗室階段
本發明係揭露一種耦合砷化銦鎵量子點綴於井之太陽能電池，使用堆疊多層耦合 In0.75Ga0.25A 量子點綴於井方式以獲得更多的光電流(Jsc)，並且因為 In0.75Ga0.25As 量子點 長在 In0.1Ga0.9As 量子井上能減少應力，使得能維持住開路電壓(Voc)，以獲得好的整體效率表現
