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  • 專利名稱(中文) / 差動式非揮發性記憶體單元及其操作方法
  • 專利名稱(英文) / An Operation Method for Differential Multiple-Time Programmable Non-Volatile Memory Cell Using the Standard CMOS Process
  • 所屬單位(一級單位) / 工學院
  • 所屬單位(二級單位) / 電機工程學系
  • 發明人(中文) / 林泓均
  • 發明人(英文) /
  • 申請國家 / 中華民國
  • 專利類型 / 發明
  • 專利證書號 / I442552
  • 技術成熟度 / 實驗室階段

一種差動式非揮發性記憶體單元,包含用以儲存電荷的一第一電晶體及一第二電晶體、一用以控制該第一電晶體及該第二電晶體的通道電流的第三電晶體、用以耦合電壓的一第四電晶體及一第五電晶體。該第一電晶體、該第二電晶體及該第三電晶體是製作於一N型摻雜井上,該第四電晶體及該第五電晶體是製作於其它N型摻雜井上,該等電晶體是P型電晶體。該記憶體單元藉由碰穿效應產生熱載子注入的方式完成抹除操作,藉由累增崩潰產生熱載子注入的方式完成寫入操作,使得操作電壓差得以降低。


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